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  • GE-10X10-BNC10mm Ge大光敏面探測(cè)器（BNC接口輸出）（ Ge鍺光電二極管）

    10mm Ge大光敏面探測(cè)器（BNC接口輸出）（ Ge鍺光電二極管） 產(chǎn)品總覽 鍺光電二極管通常用于測(cè)量近紅外范圍內(nèi)的光功率，尤其是在成本敏感型應(yīng)用或需要大面積探測(cè)器的應(yīng)用中。然而，與類似尺寸的 InGaAs 探測(cè)器相比，鍺探測(cè)器的分流電阻較低，暗電流較高，導(dǎo)致整體噪聲水平較高。

    更新時(shí)間：2025-03-31
    產(chǎn)品型號(hào)：GE-10X10-BNC
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  • Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 5mm）

    Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 5mm） 筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。

    更新時(shí)間：2025-02-06
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • Ge 鍺 超大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 10mm）

    Ge 鍺 超大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 10mm） 筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。

    更新時(shí)間：2025-02-06
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • IRD-GE-05Ge大光敏面鍺光電二極管

    Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：IRD-GE-05
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