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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器

  • 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-12μm中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù),具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能好。

    更新時(shí)間:2024-12-04
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  • 1-12μm MCT非冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PC系列

    1-12μm MCT非冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PC系列是基于復(fù)雜MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到最佳性能。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。

    更新時(shí)間:2024-12-04
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  • 碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器

    2.9-5.5um 碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器是一種基于精密碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器具有好的性能和穩(wěn)定性。對(duì)器件進(jìn)行了優(yōu)化,使得器件在5um處達(dá)到大性能,探測(cè)器元件與超半球GaAs微透鏡進(jìn)行單片集成,以提高器件的性能。

    更新時(shí)間:2024-12-04
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  • 3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm

    3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm ,PV-2TE系列反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍,以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

    更新時(shí)間:2024-12-04
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  • MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器

    2 - 13 μm ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測(cè)器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應(yīng)。

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