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  • 中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測器

    中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測器。這種材料對2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。 中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測器 2.0 - 15μm / 450KΩ

    更新時間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號:
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  • MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT兩級TE冷卻光電導(dǎo)探測器

    1-15μm中紅外光浸沒式MCT兩級TE冷卻光電導(dǎo)探測器 PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測器,采用光學(xué)浸沒來提高器件的性能,具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λ_opt條件下性能達(dá)到好。截止波長受GaAs透過率(~0.9μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。

    更新時間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號:MCT-PCI-2TE-5-2×2
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  • MCT-PCI-5-2×21-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測器 PCI系列

    1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測器 PCI系列 PCI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測器,通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù),具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時工作性能佳。截止波長受GaAs透過率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在優(yōu)秀的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。

    更新時間:2025-03-14
    產(chǎn)品型號:MCT-PCI-5-2×2
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  • 1-16μm MCT四級熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測器

    1-16μm MCT四級熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測器 PC-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測器,具有好的性能和穩(wěn)定性。這些器件在λopt下工作性能最佳。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。

    更新時間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號:
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  • InAs-PVA-3-0.1×0.1紅外非冷卻InAs光伏探測器 2.15-3.5μm

    紅外非冷卻InAs光伏探測器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求

    更新時間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號:InAs-PVA-3-0.1×0.1
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