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850nm單模VCSEL激光器TO46（不帶TEC）2mW 產(chǎn)品總覽 Philips借經(jīng)過優(yōu)化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩(wěn)定性。

QCL 是一種半導體激光器，其發(fā)射波長在中紅外范圍（4 um 至 10 um）。由于其發(fā)射原理與普通 LD *不同，QCL 作為中紅外應用（如環(huán)境監(jiān)測中的痕量氣體分析）的創(chuàng)新解決方案而備受關(guān)注。 DFB-CW QCL 連續(xù)量子級聯(lián)激光器 5.26um

1064nm高功率寬區(qū)域激光二極管(8W) 高功率寬區(qū)域激光二極管是一種專門設計用于產(chǎn)生高功率激光輸出的半導體器件。它結(jié)合了“寬區(qū)域”設計和高功率特性，廣泛應用于激光材料加工、激光雷達、光通信、醫(yī)療激光設備、科學研究等領域。

1120nm高功率寬區(qū)域激光二極管(8W) 高功率寬區(qū)域激光二極管是一種專門設計用于產(chǎn)生高功率激光輸出的半導體器件。它結(jié)合了“寬區(qū)域”設計和高功率特性，廣泛應用于激光材料加工、激光雷達、光通信、醫(yī)療激光設備、科學研究等領域。

1210nm高功率寬區(qū)域激光二極管(5W) 高功率寬區(qū)域激光二極管是一種專門設計用于產(chǎn)生高功率激光輸出的半導體器件。它結(jié)合了“寬區(qū)域”設計和高功率特性，廣泛應用于激光材料加工、激光雷達、光通信、醫(yī)療激光設備、科學研究等領域。